| コンテンツコード | DPMSP202410 |
|---|---|
| 著者 | トランジスタ技術SPECIAL編集部 |
| 発行元 | CQ出版社 |
| 価格（ライセンス料金） | 2,640円 |
| 仕様 | 本誌192ページ PDF 約83Mバイト |
| 発行日 | 2024/10/01 |
| 更新日 | 2024/09/24 |
| 制限 | ダウンロード制限： サービス停止まで |
|---|---|
| ライセンス条件 | ●本書は著作物であり，著作権法により保護されています．本書の一部，または全部を著作権者に断りなく，複製または改変し他人に譲渡すること，インターネットなどに公開することは法律により固く禁止されています．違反した場合は，民事上の制裁および刑事罰の対象となることがあります． ●本書は，CQ出版社から出版された，2024年9月28日発売の同タイトルの雑誌・書籍をPDFファイルとしたものです．電子版制作の都合上，オリジナルの書籍と比べて，一部の書体や線の太さ・種類が変更になっている場合があります．また，電子版という性格から，オリジナルの書籍と同一のプリント品質は保証できません．ご了承ください． ●予告なく，本サービス（Tech Village 書庫＆販売）を一時休止または終了することがあります．サービス休止時やサービス終了後は，本コンテンツをダウンロードまたは閲覧できなくなります． |
解説
※ 本コンテンツは，2024年9月28日発売の『トランジスタ技術SPECIAL No.168』をPDFファイルとしたものです．
本書は，部品特性からパワエレの回路技術を解説します．
高効率・低損失を実現できる注目のパワー半導体であるSiCやGaNをはじめ，シリコンのパワーMOSFETやIGBT，トランス/コイルやコンデンサ，ヒューズといった保護部品を取り上げます．
目次
［第1部］パワー・トランジスタ＆ダイオードの回路技術第1章 パワーMOSFETとスイッチング動作入門
第2章 パワーMOSFETの半導体構造とシリコンの限界
第3章 新しいパワーMOSFET…SiCとGaN
Appendix 1 パワー半導体デバイスの使い分け方
第4章 大電流スイッチング素子「IGBT」のしくみ
第5章 実測比較！ SiC MOSFETと従来パワー半導体の性能
第6章 数千V，数百Aに耐えるパワー・ダイオードのしくみ
第7章 スイッチング電源に使えるダイオードの選び方
第8章 インバータ機器向けパワー・モジュールに見るパワエレ・パターン設計の勘どころ
第9章 まだ現役！ サイリスタ＆トライアック
［第2部］パワー・トランス＆コイル…しくみと特性
第10章 スイッチング電源用トランスの基礎
第11章 高効率化のための基本パラメータ(1) 磁束密度
第12章 高効率化のための基本パラメータ(2) インダクタンス
第13章 高効率化のための基本パラメータ(3) 電流密度と抵抗損
Appendix 2 トランスのモデルと回路シミュレーションの連係
第14章 トランスを磁気の目で見てみよう
第15章 磁気回路によるインダクタンスの計算
［第3部］パワエレ向けコンデンサ…しくみと特性
第16章 コンデンサの種類
第17章 小型大容量を得られるアルミ電解コンデンサ
第18章 高耐圧で周波数特性に優れるフィルム・コンデンサ
［第4部］パワエレに必須の保護部品…しくみと特性
第19章 ヒューズの基礎知識
第20章 ヒューズの動作原理
Appendix 3 各国のヒューズ安全規格
第21章 ヒューズ選定の手順
第22章 具体例で示すヒューズの正しい選び方
第23章 ヒューズを実装する際の考慮点
第24章 電流ヒューズ以外の保護素子
トランジスタ技術SPECIAL No.168 パワエレ回路技術 部品特性から入門【PDF版】のレビュー
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